半導體高溫儲存試（shì）驗測（cè）試標準
作者：
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編輯：
瑞（ruì）凱儀器
來源：
網（wǎng）絡
發布日期： 2020.06.11
國際標準分（fèn）類中，半導體高溫儲存試驗涉及到（dào）半導體分立器件。
在中國標準分（fèn）類中，半導體高溫儲存試驗涉及到半導體（tǐ）分立器件綜合、電力半導體器（qì）件、部件。
國際電工委員會，關於半導體 高溫儲存試驗的標準
IEC 60749-6-2017 半導體器件（jiàn）.機械和氣候試驗（yàn）方法.第6部分:高溫下儲存
IEC 60749-6-2017 半導體器件（jiàn）.機械和氣候試（shì）驗方（fāng）法.第6部（bù）分:高溫下儲存
IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導（dǎo）體器件.機械和氣候試驗（yàn）方（fāng）法.第6部分:高溫下儲存
IEC 60749-6-2002 半導體（tǐ）器件.機械和氣候試驗方法.第（dì）6部分（fèn）:高溫下儲存
韓國標準，關於半導體 高溫儲存試驗的標準
KS C IEC 60749-6-2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
德國（guó）標準化學會，關（guān）於半導體 高溫儲（chǔ）存試驗的標準
DIN EN 60749-6-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫儲存
法國標準化協會，關於半（bàn）導體 高溫儲存試驗的標準
NF C96-022-6-2002
半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
英國標準學會，關於半導體 高溫儲存試驗的標準（zhǔn）
BS EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和（hé）氣候試驗方法.高溫下儲存
歐洲電工標準化委員會，關於半導體 高溫儲存試驗的標準
EN 60749-6-2002 半導體器（qì）件.機械和氣候試驗方（fāng）法.第6部分:高溫下儲存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002
