半導體高（gāo）溫儲存試驗測試標準
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發布日（rì）期： 2020.06.11
國際標準分（fèn）類中，半導體高溫儲存試驗涉及到（dào）半導體分立器件。
在中國（guó）標準分類中，半導體高（gāo）溫儲存試驗（yàn）涉及到半導體分立器件綜合（hé）、電力半導體器件、部件。
國際電工委員會，關於半導體 高溫儲（chǔ）存試驗（yàn）的標（biāo）準（zhǔn）
IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械（xiè）和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
IEC 60749-6-2017 半導體器（qì）件.機械和氣（qì）候試驗方法.第6部分:高溫下（xià）儲存
IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
IEC 60749-6-2002 半導體器（qì）件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
韓國標準，關於（yú）半導體 高溫儲存試驗的（de）標準
KS C IEC 60749-6-2004 半導體器件.機械和氣候試驗（yàn）方法.第6部分:高溫下儲存
德國標準（zhǔn）化學會，關（guān）於半導體 高溫儲存試驗的標準（zhǔn）
DIN EN 60749-6-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第（dì）6部分:高溫儲存
法國標準化協會，關於半（bàn）導體 高溫儲存（cún）試驗的（de）標準（zhǔn）
NF C96-022-6-2002
半導體裝置（zhì）.機械（xiè）和氣候試驗方法.第6部（bù）分:高溫下儲（chǔ）存
英國標準學會，關於半（bàn）導體 高（gāo）溫儲（chǔ）存試驗的標準
BS EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫下儲存
歐洲電工標準化委員會，關於半導體 高溫儲存試驗的標準
EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 部（bù）分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002
