1、範圍
1.1 本工藝適應於防爆（bào）電器產品（pǐn）中（zhōng）本安用鍺、 矽（guī）半導體二極管、三（sān）極管、集成電路（lù）、電容器、電阻器元件的（de）老化篩選。
1.2 本工（gōng）藝適用於進廠檢驗合格的元件（jiàn）進行老化篩選。
2、引用標準
2.1  GB4032半導體分立（lì）器件
2.2  GB4936. 1半導體分立器件總規範（fàn）

2 3  GB4938半導體分立器件接收和可靠性

3、設備、儀器、工具
高（gāo）低溫試驗箱、直流穩壓（yā）電源、萬用表、示波器
4、高溫儲存
4.1目（mù）的（de）：使具有潛在缺陷的器件（如汙染、引線不良、氧化缺陷等）提前失（shī）效，加以清除。
4.2儲存溫（wēn）度
a)鍺二、三極管： 85±2℃
b)矽二、三極（jí）管： 85±3℃
c)集成電路：  85±2℃
4.3儲存時間  24h
4.4試驗方法
4.4.1初試
4.4.1.1標準測試條件
a)環境溫度： 25±5℃
b)相對濕度： 45%~75%
c)大氣壓力： 86~ 106kpa
d)4.4.1.2技術要求
按器件電參數（shù）規範測試
a）二極管
VBR：擊穿電壓。
IK：  反向電流。
b） 三極管
ICBO：集電極-基極反向擊穿電流。
v（ER）CEO：集電（diàn）極一發（fā）射極反向擊穿電壓。
VCE （sat）： 集電極一反向飽和壓降。
IC-VCE：共射（shè）極輸出特性曲（qǔ）線。
HFE：共射極靜態電流放（fàng）大係數。
C）穩壓二極管
UZ：穩定電壓
IZ：穩定電流
d）電阻（zǔ）器：選擇篩（shāi）選的電阻器測量阻值的（de）誤差範圍不得超過±5%。
e）集成電路：選擇能預示器件早期（qī）失效（xiào）的參數，作為篩選參數。
注：集成電路種類、規格繁多，差異較（jiào）大（dà），根（gēn）據（jù）實際應用情況選測主要參數。
f）電容器：電解電容量允許誤差（chà）為±20%，無極電容電容量允許誤（wù）差為±5%。
4. 4.2試驗步驟
4. 4.2.1將初測合格的（de）器件（jiàn）裝入專（zhuān）用金屬盒，放入高低溫試驗箱，把溫度調到規（guī）定值.
4. 4.4.2溫度達（dá）到規定（dìng）值時開（kāi）始計算時（shí）間，48h後（hòu）取出器件（jiàn），並在（zài）室溫下（xià）恢複應不少於（yú）1h.
4.4.2.3重複（fù）
4.4..1條的測試步驟.
5、常溫靜態功率老（lǎo）化
5.1目的
在較長時間內對器件連續施加一（yī）定的電壓力，通過（guò）電一熱應力的綜合作用，來加速器件內部（bù）的物理化學反映的過程。促使器件內部各種潛（qián）在的缺陷及早暴露，以剔除早期失效的器件（jiàn）.
5.2試驗要求
5.2.1二極管
5.2.1.1檢波、開關、整流二極管的正向電功率的老（lǎo）化，應取額定正向電流的1.5倍，老（lǎo）化時間為48h。
5.2.1.2穩壓二極管的反向電功率老化，應以其額定功率的2倍進行，老化時間為48h
6、注意事（shì）項
6.1常溫靜（jìng）態功率（lǜ）老化過程中，應隨時監測電壓、電流數值，以保證老化條件的穩定
6.2在初測及複（fù）測時，要防止因失（shī）效（xiào）的半導體器（qì）件引起儀表過載（zǎi）。
6.3試（shì）驗時，如果熱源（yuán）溫度失控，就可能破壞或損傷器件，因此，熱源應裝備重複的過（guò）熱控製來限製溫度。
7、驗收規則
7.1由質量（liàng）部接到檢驗（yàn）通知單後進行。首先檢查元件（jiàn）是否為本公司的合格供方，出廠產品（pǐn）是否有合格證明等。
7.2電解（jiě）電容（róng）的出廠期不得超過一年。
7.3 所（suǒ）有元件抽樣檢查，抽樣率5%，初測時（shí）被抽取的樣品總數經檢測合格率低於98%的，則（zé）判定該批總體不合格。否則判定該批總體為合（hé）格（gé）品。經（jīng）電熱（rè）老化後的樣品總數檢驗合格率低於98%的，則判（pàn）定該批總體不合格，否則判定該批總體為合格（gé）品。
7.4對檢測不合格的電子元件，開出檢驗不合格單，及時反饋有關部門。
7. 5檢驗記錄應認真填寫。