1、範圍
    GB/T4937的本部（bù）分規定了非密（mì）封（fēng）表麵安裝器（qì）件(SMDs)在可靠（kào）性試驗前預處理的標（biāo）準程序。
    本部分規定了SMDs的預處理流程。
    SMDs在進行規定的室內可靠性試驗（yàn）(鑒定/可靠性監測)前（qián），需按本（běn）部分所規定的流程進行適當的預處（chù）理，以評估器件的長期可（kě）靠性(受焊接應力的（de）影響)。
    注（zhù）： GB/T 4937. 20和本部分中的潮濕誘導應力敏（mǐn）感度條件(或潮濕敏感度等級(MSL) )與實際使用的再流焊條件之間的（de）關係依賴於半導體器件承製方的溫度測量。因此（cǐ），建議在裝配過程（chéng）中，實時監控溫（wēn）度的潮濕（shī）敏感SMD封裝頂麵的溫度，以確（què）保其溫度不超過元件評估溫度。
    2、規範性引（yǐn）用文件
    下列文件對於本文件的應用（yòng）是必不可（kě）少的。凡是注日期的引用文件,僅注（zhù）日期的版本適用於本（běn）文（wén）件。凡是不注日期（qī）的引用文件，其新版本(包括所有的修改單)適用（yòng）於本文件。
    GB/T4937.20-XXXX半導體器件-機械和氣候試驗方法-第20部分（fèn）：塑（sù）封表麵安裝器（qì）件的耐潮濕和（hé）焊接熱綜合影響（xiǎng）(IEC 60749-20： 2008， IDT)
    GB/T4937.25-XXXX半導體器件-機械和氣（qì）候試驗方法-第25部分：溫度循環(IEC60749-25：2003,
    IEC 60749-4半導體器件-機械和氣候試驗方法-第4部分：強加（jiā）速穩（wěn）態濕熱試驗（yàn）(HAST )
    ( Semiconductor devices. -Mechanical and climatic test methods- -Part 4：Damp heat, steadystate, highly accelerated stress test (HAST) )
    IEC 60749-5 半導體器件-機械和氣候試（shì）驗方法-第（dì）5部分：穩態溫濕度偏置壽命（mìng）試驗
    ( Semiconductor devices. -Mechanical and climatic test me thods -Part 5：Steady- -statetemperature humidity bias life test)
    IEC 60749-11 半導體器件-機械（xiè）和氣候試驗方法-第11部分（fèn）：快（kuài）速溫度（dù）變化一雙液槽（cáo）法
    ( Semiconductor devices -Mechanical and climatic test methods -Part 11 ：Rapid change oftemperature- Two-fluid-bath method)
    IEC60749-24半導體（tǐ）器件-機械和氣候試驗方法-第24部分：加（jiā）速耐濕（shī）無偏置強加速應力（lì）試驗
    (Semi conductor dev ices -Mechanical and climatic test me thods -Part 24：Accelerated mois tureresi stance-Unbiased HAST)
    IEC 60749-33 半導體器件-機（jī）械和氣候試驗方法-第33部（bù）分：加速耐濕-無偏置高壓蒸煮（zhǔ）
    ( Semi conductor devices- -Mechanical and cl imatic test me thods -Part 33 ：Accelerated mois tureresi s tance-Unbiased autoc lave)
    3、總則
    焊（hàn）接熱試驗會使SMDs中潮氣(SMDs在存貯期間吸收的)氣壓升高，從而導致SMDs塑（sù）料封裝破裂和（hé）電氣性（xìng）能失效。本部（bù）分是通過模擬貯（zhù）存在（zài）倉庫或幹燥包裝環境中SMDs吸收的潮氣,進而對（duì）其（qí）進行耐焊接熱性（xìng）能的評價。
    4、試（shì）驗設（shè）備和材料
    4.1恒溫恒濕試驗箱
    恒溫恒濕試驗箱應能在85℃/85% RH (相對濕度)、85℃/60% RH、85℃/30% RH、30℃/70% RH和30℃/60%RH下工作。在恒溫恒濕試驗箱工作區域內，溫度容（róng）差為±2℃，相對濕度容差為土3% RH。 
    4.2焊接設備
    焊接設備應包含以下設備：
    a)100%對流再流焊係統：再流（liú）焊首選設備，能提供本（běn）部分（fèn）要求的再流焊曲線;
    b) 氣相再流焊(VPR) 室（shì）：使用合適的液體，能在215℃~219 ℃和(或) 235℃±5℃下工作。該室能在不損壞水汽覆蓋層的前提下加熱封裝，且（qiě）能再次冷凝水汽，從而降低氣相焊接液體的（de）損失（shī）。氣相焊接液體應在上述規定的合適溫度下汽化;
    c) 紅外(IR) /對（duì）流再流焊設備：應能提供本部分要求的再（zài）流焊曲（qǔ）線。推薦使用紅外加熱空氣，不應直接（jiē）作用於試驗（yàn）樣品;
    d) 波峰焊接設備：應能維持GB/T 4937. 20- XXXX中5. 4.4規定的（de）條件。
    注（zhù）：潮（cháo）濕敏感條件(分級)試（shì）驗結果取決於封裝殼（ké）體溫度，而（ér）不是電路板或引線溫度。對流和氣相再（zài）流焊比紅外更具可控性和（hé）重複性。當氣相再流焊、紅外/對流和對（duì）流之間存在衝突時，應以對流結果為準。
    4.3光學顯微鏡
    光學（xué）顯微鏡(40倍，用於外部目檢)。.
    4.4電（diàn）學測試設備
    電學測（cè）試設備應具備（bèi）常溫直流測試和功能（néng）測試的能力。
    4.5幹燥(烘焙)箱
    幹燥(烘焙)箱能在125±5℃下工作。
    4.6溫度循環箱(可選)

    溫度循（xún）環箱工作範圍至（zhì）少為-40℃~60℃，與GB/T 4937. 25-XXXX -致。可接（jiē）受（shòu）的、可選擇的試驗條件和溫度容差（chà）見GB/T 4937. 25- XXXX 中表1。

    5、程序
    5.1通則
    根據GB/T 4937. 20-XXXX中的潮濕敏感等級(MSL)， 同時（shí）可參（cān）考其它的潮濕評估數據，來確定適當的預處理程序，使其盡（jìn）可能通過。建議使用合適的（de）方法和類（lèi）似的器件進行預評估（gū）。但5. 5中浸（jìn）漬（zì）順序應與表1和表2中車間壽命信息一（yī）致。
    5.2初始測量（liàng）
    5.2. 1電測試
    進行直（zhí）流電測試（shì）和功能測試，確認器件是否滿足相關文件要求，替換不（bú）滿足要求的器件。
    5.2.2外（wài）觀檢查
    在40倍光學顯微鏡下進行外部（bù）目檢，確（què）保試驗樣品沒有外部裂紋（wén）或其他損傷。如果存在（zài）機（jī）械損傷不合格品（pǐn），則應在生產過程中采取糾正措（cuò）施，並自糾正後的生產批中（zhōng）抽取新的樣（yàng）本。
    5.3 溫度循（xún）環(可選)
    進行（háng）5次-40 C (或者更低) ~60 C (或者更高)的溫（wēn）度循（xún）環，以模擬運（yùn）輸條件。當相關文件（jiàn）有規（guī）定時，本步驟為可選的。
    5.4 幹燥(烘焙)
    (125±5)℃下烘焙器件至少24h，去除封裝內部水汽，以達到真正的“幹燥”。
    注1：如果接（jiē）受預處理的某一器（qì） 件吸附數據表明，需要更多或更少的時（shí）間來獲得（dé）“幹燥”封裝，則烘焙時間應適（shì）當修正。
    注（zhù）2：如（rú）果預處理由半導體器件承製方實施，因為風險在供應商自身（shēn），步驟5.2.1、5.2.2、 5.4可選做。如果預處理由用戶實施，步驟5. 8可選做。
    5.5幹燥包裝 SMDs浸漬條件
    采用以下浸漬條件。浸（jìn）漬應在烘（hōng）焙後2 h內開始。
    5.5.1 方法A-GB/T 4937.20- -XXXX中（zhōng）幹燥包裝SMDs

    試驗按表1規定進行，參考GB/T 4937. 20- XXXX 中5.3.3.2方法A。

    5.5.2方法B-GB/T 497. 20- -xxx 中幹燥包裝sMDsS
    試驗按表2規定進行，參考GB/T 4937.20-0 -x3.3.3.方法B。

    5.6 GB/T 4937.20- XXXX中非幹燥包裝SMDs浸漬條件
    試驗按表3規定進（jìn）行（háng），參考GB/T 4937. 20- XXXX中5.3.2 一致。

    5.7 再流焊（hàn）
    器件（jiàn）從恒溫恒濕試驗箱移出（chū）後15min到4h之間，采用GB/T 4937. 20- XXXX中合適的再流焊條件（jiàn）進行3次循環。所有溫度均為本體溫度。
    在兩次再流焊循環之間，允許（xǔ）將器件放置在室溫環境下至少（shǎo）冷卻5min。
    5.8 模擬助焊劑使用(可選)
    5.8. 1助（zhù）焊劑使用
    再流焊循環完成之後，允許（xǔ）器（qì）件在室溫下至少冷卻15min。在室溫下，將器件主體（tǐ）大部分浸入到（dào）助焊（hàn）劑中至少10s，從而使活（huó）性水溶性助焊劑施加到器件引線上。當相關文件有規定時，助（zhù）焊劑使用是可（kě）選的。
    5.8.2使用 助（zhù）焊（hàn）劑後清洗
    使用多次攪動的（de）去離子（zǐ）水衝洗器（qì）件。使用助焊劑後可立即清洗（xǐ）。進行下一步之前，器件應在（zài）室溫環境溫度下幹燥。
    5.9終檢查
    5.9.1 電測試
    進行直流電測試和功能測試，確認（rèn）器件能否達到規範的常溫數（shù）據表要求。
    5.9.2目檢
    在40倍的光學顯微鏡下進行外部目檢，確保器件外表麵無裂紋。
    預處理造成的任何失效（xiào），表明該（gāi）器件等級劃分錯誤。應進行失效分析，如果可以，應對該器件重新評估，確定正確的潮濕敏感等級。在進行5. 10可靠性試驗之前，應重新提交樣品進行正確等級的預（yù）處理。
    注：由於風險是由供應商來承擔，對半導體生產商，終檢查步驟是可選的，可以省略。
    5.10應用（yòng）可靠性試驗
    SMD 進行可（kě）靠性試驗之前，如強加（jiā）速穩態濕熱試驗（yàn）(HAST) (IEC 60749-4)、 溫濕度（dù）偏置壽命試驗(IEC 60749-5)、快（kuài）速溫度變化-雙液體槽法(IEC 60749- II)、加（jiā）速耐濕-無偏置強加速應力試驗(IEC60749-24)、溫度循環(GB/T 4937. 25)，或加速耐濕-無偏置高壓蒸（zhēng）煮(IEC 60749-33)，應按照本部（bù）分進行適當的預處理。
    6、說明
    應在相（xiàng）關文件中規定以下細節：
    a)使用的預處理條件(方法)類別;
    b)如（rú）有要求， 為驗證運輸能力，應規定溫度循環條件和循環（huán）次（cì）數(見5.3);
    c)應規定再流焊循環次數，如不是3次(見5.7);
    d) 如有要求，應規定助焊劑類型(見5.8);
    e)可靠性試驗程序及試驗條件（jiàn）(見5.10);
    f) 電測試描述，包括測試（shì）溫度(見5.9)。