近幾年來，本實驗室連續開展了大規模集成電（diàn）路的新品檢測工作，如偵察運算電路、BCH編譯碼器（qì）、CRT地址（zhǐ）產生電路及（jí）接口電路等，基本上都是規模較大的CMOS電路，對靜電敏感，工作速度較快。在（zài）高（gāo）、低溫電性能測（cè）試（shì）中成功地（dì）采用了該（gāi）集成電路高、低（dī）溫電性能測試係統，積（jī）累了一些有益的（de）經驗。通過實際應用發現，必須注意以下（xià）一些具體的環節，如測試板（bǎn）的隔離、防（fáng）潮，被測器件的靜電保護，被測器件芯片溫度的確定等問題，才能（néng）快速、準確地（dì）完成CMOS VLSI的高、低溫電（diàn）性能（néng）測試。

    在用該高、低溫測試係統做溫度測試時，係統（tǒng）有溫度傳感器叮測到器件底（dǐ）部的溫度，雖然氣（qì）流是重直於（yú）DUT表麵（miàn）而下，但DUT的底部還是屬於器件表（biǎo）麵，如何確定DUT芯片溫度的建立時間，是個比較複（fù）雜的問題（tí）。因為DUT芯片（piàn）溫（wēn）度的建立時（shí）間受很（hěn）多因（yīn）係的影響，如DUT的材料、形狀尺寸，溫（wēn）度以及氣體（tǐ）流量的大小等因素的影響。不同的器件芯（xīn）片溫度的建立時間是不一樣的，溫度建立時間是指係統變溫( 升溫獲降溫)開始，到建立新的熱平衡，即被測器件芯片溫度達到設定值這一段時間。某（mǒu）公司給出了1000Ω電阻溫度探測器(RTD)的溫度建立（lì）時間（jiān）曲線，如圖3所示。圖3表明不同的RTD其溫度（dù）建立時間是不同（tóng）的。

    DUT芯片溫度的建立時間對於高、低溫測試是非（fēi）常重要的指標，隻（zhī）有（yǒu）在大於建立時間（jiān）的時間段（duàn）內測試，測試的數據才能真正（zhèng）地（dì）反映設定溫度點的性能及具有重複性。對於複雜的大規模集成電路，我們采取在開始高、低溫測試前，通過反複試驗，確定被測器件芯片溫度的建立時間。在熱流係統顯示（shì）達到設定（dìng）溫度（dù）開始，對被測器件進行多次（cì）電參數測試，當其電參數（shù）趨於穩定並具（jù）有可重複性時，將這段時間確定為DUT芯片溫度的建立時間。經過反複試驗發現（xiàn），係統的溫度傳感器測得的被測器件底部溫度與芯片溫度基本一致。