針（zhēn）對鋁薄（báo）膜進行了快速冷熱循環試驗。模擬焦耳熱變化並研究影響（xiǎng）機理（lǐ）。試驗結果表（biǎo）明。對比於恒溫加熱。焦耳熱循環變化會導致應力遷移速率持續變化。對（duì）鋁薄膜表麵形成變應力衝擊。同時加（jiā）劇表麵 疲勞微裂紋的形成與擴展。終使表麵（miàn）小丘數量和體積顯著增加。致使集成電路失效概率大幅提高。 
    集成電路中重複的 ＯＮ／ＯＦＦ操作會導致焦耳熱發生快速循（xún）環變化。從而影響鋁薄（báo）膜的結構。集成電路和（hé）微（wēi）機電係統 （ＭＥＭＳ）在現代機械（xiè）電子（zǐ）工業中發揮（huī）著越來（lái）越重要的作用。其中金屬薄膜（mó）材 料是不可替代的（de）組成部分。Ａｌ和（hé）Ｃｕ薄膜因其特殊的（de）物理和化學性（xìng）質被廣泛地應用於集成電路中。由 於Ｃｕ薄膜（mó）製造（zào）成（chéng）本較高、工藝較複（fù）雜。而 Ａｌ薄膜加工（gōng）工藝成熟、製造成本低。因此多年以來Ａｌ薄膜一直被（bèi）用作重要的組（zǔ）成材料。由於集成電（diàn）路（lù）通常處於微納米尺度。產生的電流密度大。因此不能忽（hū）視通電產生的焦耳熱影響。當電路（lù）經受重複的ＯＮ／ＯＦＦ操作時。焦耳熱會發生快速循環變化（huà）。 導致Ａｌ薄膜結構發（fā）生變化。產生空（kōng）穴（ ｖｏｉｄ）和（hé）小丘（ ｈ ｉｌｌｏｃｋ）。使電路出現斷路（lù）或短路（lù）等失效現 象。因（yīn）此。研究快速冷熱（rè）循環變化對 Ａｌ薄膜的影響是（shì）十分必要的。Ｇｅｉｓｓ等使用交流電源對電路通 電來研究焦耳熱循環（huán）變化對於 Ａｌ－１ｗｔ％Ｓｉ導線的影響。但是該試驗中無法避（bì）免電遷移現象對於 Ａｌ膜的影響。同時也未針對高純度Ａｌ膜（mó）試（shì）樣進行試驗。 Ｒｉ等分析了溫度循環變化（huà）對於鋁膜的影響。 但是試驗設（shè）備複雜、價格較高。而且（qiě）試樣中鋁（lǚ）膜厚度達到了５μｍ。無法（fǎ）準確模擬集成電（diàn）路中的鋁膜結構。
    為避免電遷移現象對於焦耳熱（rè）影響機理的幹涉。本論文（wén）設計了一種新型快速冷熱循環裝置。實現了對高（gāo）純度鋁膜的快速加熱和（hé）冷卻（què）。並通過對比恒溫加熱下相同結構（gòu）鋁膜的變化。分析了快速冷（lěng）熱（rè）循環的影響機理。

    1、試樣製備與試驗方法

    半導體（tǐ）薄膜溫度的快速變化需要通過環境溫度（dù）的快速變化來實現。因此。 快速冷熱循環試驗箱利用陶瓷加熱（rè）片（piàn）提供高溫。並將（jiāng）陶瓷加熱片固定（dìng）於升降位移（yí）機構中。鋁膜的加熱和冷卻是通過伺服電機控製加熱片上下循環移動而實現的。試（shì）驗中使用２英寸矽片。將矽片切（qiē）割為１０ｍｍ×１０ｍｍ 小塊並（bìng）放置（zhì）於銅台上（shàng）。設（shè）計水冷係（xì）統（tǒng）是為了保證銅台表麵溫度在非加熱狀（zhuàng）態時能快速冷卻至室溫。並通過溫度（dù）控製係統 以（yǐ）實時監控陶（táo）瓷加熱片和銅台溫度。由於矽片和鋁膜具有（yǒu）良好的導熱性。因此。在試驗中。當陶瓷加 熱片靠近矽（guī）片進行（háng）加熱時。近似認為矽片中鋁膜溫度與（yǔ）銅台監測溫度相同；而當加熱片遠離矽片進（jìn）行 冷卻時。鋁膜將（jiāng）快速降至室溫。快速冷熱循環測試係統示意圖（tú）如圖１ （ ａ）所示。包括升降位移機構、 運動控製係統（tǒng）和水冷係統等。

    試驗所需試樣（yàng）Ａ橫截麵結構如圖１（ ｂ）所示。由（yóu） Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ／ＳｉＯ２／Ｓ ｉ組成。試（shì）樣製作過程如下： 首先在２英（yīng）寸矽（guī）片表麵通過（guò）高（gāo）溫氧化製備一（yī）層３００ｎｍ厚的ＳｉＯ２ 膜。然後（hòu）使用真空蒸鍍（dù）法在（zài）ＳｉＯ２表麵沉積（jī）一層６００ｎｍ厚的Ａｌ膜。Ａｌ靶材純度為９９。９９％。沉積結束後。將試樣 Ａ 從真空腔中取出。Ａｌ膜表麵立刻會生成Ａｌ２Ｏ３膜。試樣表麵在加熱前平整光潔如圖１（ ｃ）所示。

    鋁膜循環加熱試驗的主要參數見表１。其中（zhōng）Ｔ１表示鋁膜加熱後達到的溫度。為４７３Ｋ。Ｔ２表示鋁膜冷（lěng）卻時的溫度。為室溫２９８Ｋ。ｔ１表示加熱片靠近矽片時的加熱（rè）持續時間。ｔ２表示加熱片遠離矽片後的冷卻持續時間。Ｃ表示循環次數。如圖２所示。試驗（yàn）中采（cǎi）用５０００次冷熱（rè）循環。單次循環內陶瓷加熱片加熱矽片時間設定為２ｓ。因此總加熱時間為１００００S。

    為對比恒溫持續加熱對試樣的影響。本文使（shǐ）用相同結構的試樣。命名為試樣 Ｂ。放置於恒（héng）溫加熱爐中。加熱溫度設為４７３Ｋ。加熱時間同樣為１００００ｓ。

    ２、試驗結果及分析

    試驗結束經掃描電子顯微鏡觀（guān）察發現：經過快（kuài）速冷熱循環試驗後的試樣 Ａ 表麵如圖３ （ａ）所示。有大量的小（xiǎo）丘出現。而經過恒溫持續加（jiā）熱試驗後（hòu）的試樣Ｂ表麵如（rú）圖３ （ ｂ）所示（shì）。隻有少（shǎo）量的小丘出（chū）現。說明在加熱溫度 和時間相同的（de）條件下。快速冷熱循環對於試樣（yàng）的破（pò）壞性更大（dà）。
    試樣中Ａｌ和ＳｉＯ２膜的熱膨脹係（xì）數相差較大（ＣＡｌ＝２。５×１０ ７／Ｋ。ＣＳｉＯ２＝０。５×１０ ６／Ｋ）。因此在（zài）加 熱過（guò）程中。Ａｌ膜（mó）和ＳｉＯ２膜的（de）熱膨脹能力不同。Ａｌ膜沿（yán）厚度方向的膨脹受到底層ＳｉＯ２膜的限製。導 致（zhì）了壓應（yīng）力（ Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ）的產生。壓應力在（zài）沿鋁膜厚度方（fāng）向上形成應力梯（tī）度。驅動鋁膜（mó）中 的鋁原子沿（yán）晶界遷移。並積聚於鋁膜與表層氧化膜之間。形成應力遷移現象。鋁原子的應力（lì）遷移能（néng）力 隨加熱溫度的增大而增強。試樣 Ａ和Ｂ中加熱溫度達（dá）到４７３Ｋ。保證了 Ａｌ原子具有足夠（gòu）的應力遷移 能力。當積（jī）聚鋁原子數量達到一定程（chéng）度時。鋁原子會突破表層 Ａｌ ２Ｏ３ 膜的限製。從（cóng）而形成（chéng）了小丘。 
    試樣 Ａ和Ｂ的加熱溫度和總（zǒng）加熱時間相同。但由於試（shì）樣 Ａ在多次冷熱循環過程中。壓（yā）應力出現 循（xún）環變（biàn）化。導致應力（lì）梯（tī）度（dù）出現相（xiàng）應變化。試樣 Ａ 中遷移的鋁原子數量和速率也（yě）隨之發生持續變化。 因此將產生原子積聚形成的變應力。Ｓａｋａ和Ｌｕ等報道了Ｃｕ和 Ａｌ的氧化膜（mó）存在易損傷點。金（jīn）屬原 子應力遷（qiān）移並積聚後。會從（cóng）易損傷點析出並生（shēng）成小丘。試樣 Ａ 中表層 Ａｌ２Ｏ３ 膜同樣存在易損傷 點。而且受變應力影響出現疲勞損傷。導致易損傷點擴（kuò）展並成為裂紋。終使試樣表（biǎo）麵原子析出點的 數量和（hé）大小都顯著增加。試（shì）樣Ｂ在恒溫加熱過程中。Ａｌ原子（zǐ）應（yīng）力遷移的速率穩定。當積聚原子（zǐ）從試 樣（yàng）表麵按照一定速率析出。形成原子積聚析出動態（tài）平衡過（guò）程。此時試樣Ｂ的（de）表層氧化膜（mó）承受靜應力 而不是變應力（lì）。氧化膜的易（yì）損傷點（diǎn）沒有（yǒu）擴展。因此。表麵由鋁原子析出形成（chéng）的小丘數量（liàng）和大小均小於 試（shì）樣（yàng） Ａ。

    ３、結語

    本文對比分析了（le）恒溫加（jiā）熱和快速（sù）冷熱（rè）循環對於鋁（lǚ）薄膜的影響（xiǎng）。在加熱溫度和總時間相等（děng）的情況下。快速冷熱循環（huán）會導致鋁膜表麵出現更多的小丘。研究發現。小丘來源於鋁原子的應（yīng）力遷移和積聚。快速冷（lěng）熱循環使鋁膜內應（yīng）力梯度持（chí）續發（fā）生變化。對表層氧化膜會造成更嚴（yán）重的疲勞損傷。本文的（de）研究結果可應用於延長半導體器件壽（shòu）命和遏製（zhì）應力遷移導致的集（jí）成（chéng）電路失效。