塑封半導體器件THB試驗
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發布日期： 2021.08.19
THB 試驗是考（kǎo）核（hé）塑封（fēng）器件耐濕性常用的加速試驗方（fāng）法，一般在高溫高濕試驗（yàn）箱中進（jìn）行。通（tōng）過提高環境溫度及相對濕度，使試驗環境的水汽分壓增加，加大了試（shì）驗環（huán）境與塑（sù）封半導體器件樣品（pǐn）內部的水蒸氣壓力差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施加偏（piān）置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑（sù）封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內產（chǎn）生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中（zhōng）的雜質汙（wū）染等（děng）。
為得到（dào）較好的加速性，THB試驗（yàn）對不（bú）同功率的塑封半導（dǎo）體器件施加不（bú）同電壓偏置:小功率塑封半導體（tǐ）器件，施加穩態電（diàn）壓偏置;人功率塑封半導體器件，施加間歇（xiē）電（diàn）壓（yā）偏置。因為大（dà）功率器件在“有偏（piān）置(bias-on)”時，芯片發熱對芯片周圍的模塑化合物有烘幹作用，若持續施加穩態電壓偏（piān）置，則模塑化合物中不會存在水汽。因此，人功率器什在間歇偏置電（diàn）壓下“無（wú）偏置（bias-off)”時模塑化合物吸收水汽;“有編置(bias-on)”時，封裝體內水汽在也偏置作:用下產生離子遷移激發火效。表1是（shì）JEDEC標準JESD22-A101-B（穩態（tài）THB壽命試!驗（yàn）〉中施加電壓偏置的原則（zé）。
JESD22-A101-B標（biāo）準中指出，大多數大功率塑（sù）封半導體器件試驗樣品以1小時加偏置，1小時不加偏置即能得到較好加速性。
