微（wēi）電（diàn）子器件常用的低氣壓試驗標（biāo）準（zhǔn）
作者：
salmon範
編輯：
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來源：
www.tuyatang.com
發布日期： 2020.10.31
通常，微電子器件產品使用如下幾個（gè）低氣壓試驗標（biāo）準:
1）CJB 150.2A-2009《軍用裝備實（shí）驗（yàn）室環（huán）境試驗方法第二部分低氣壓（高度）試驗》；
2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法方法105低氣壓試驗（yàn）》（ 等效美軍標MIL-STD- 202F）；
3）GJB 548B-2005 《微電子器件試驗方法和程序方法1001低氣壓（高空作業）》（等效美軍標MIL-STD-883D）；
4）CB/T 2421-2008《電工電（diàn）子產品基本環境試驗總則》；
5）GB/T 2423.21-2008 《電工（gōng）電子產品基（jī）本環境試驗規程試驗M低氣壓試驗方（fāng）法》；
6）CB/T 2423.25-2008 《電工電子產品基本環境試驗規程試驗ZAM低溫/低氣壓綜合（hé）試驗（yàn）方法》；
7）CB/T 2423.26-2008 《電工電子產品基（jī）本環境試驗規程試驗Z/BM高溫/低氣壓綜合試驗方法（fǎ）>；
8）CB/T 2423.27-2005《電（diàn）工（gōng）電子產品基本環（huán）境試驗規程試驗（yàn）ZAMD高溫/低氣壓綜合試驗方法》；
9）CB/T 2424.15-2008《電工電子產品基本環境試驗規程》。
