我（wǒ）國大多數裝備電（diàn）子產品的研製周期較長，且產（chǎn）品使用後還（hái）需（xū）要維修，而元器件(尤其是進口（kǒu）元器件)更新換代是比較快的，往往裝備在研製過程中，某些進口元器件已不生產，或定型後（hòu）使用需（xū）要維修（xiū）時（shí），有些元器件已經“斷檔”。為了解決（jué）這一（yī）矛盾，通常在采購時留有足夠的餘量，以解決裝備研製的需要；而且元器件訂貨量大，單價相（xiàng）對來說就低，也有利於節約費（fèi）用。作為元器件的采購方和使用方普遍采取“一次采購、多次使用”的方式，這（zhè）不僅能取得一定（dìng）的經濟效益，也有利於保證裝備產品的研製進度。而另一（yī）方（fāng）麵，元器件生（shēng）產廠家也希望“一次技產、多次供貨”以降低生產成本。但“一次訂貨，多次使用”或“一次投產、多（duō）次供貨”主要取（qǔ）決於元器件允許長期儲存的期限（xiàn），以及超過（guò）了規定的儲存期限後，需要通過必要的檢測，才（cái）能驗證元器件的質（zhì）量與可靠性仍能滿足裝（zhuāng）備研製的（de）要求。

    元器件的儲（chǔ）存可靠性以及儲（chǔ）存期的（de）長短主要與下列因素有（yǒu）關： 
    (1)由設計（jì）、工藝和原材料決定的元器件固有質量狀況（kuàng）。
    (2)元器件儲存的環境條件。
    (3)元器件的不同類別。
    (4)裝備的可靠性要求。
    元器件（jiàn）儲存環境
    多（duō）數元器件的總規範和詳細規範中（zhōng）規定了（le）元器件的儲存環境（jìng），SJ331《半導體集成電路總（zǒng）技術條件》規定了半（bàn）導體集成電路儲存的溫度範圍為-10℃～40℃，相對濕度（dù）不大於80% ；美國軍（jun1）用標準和我國軍用標準規定半導體器件的儲存環境溫度範（fàn）圍要寬一些（xiē）。這些標（biāo）準中規定（dìng）的儲存環境（jìng）都是不允許超過的範圍，並非元器件儲存的佳環境。根據國家標準GB4798.1《電工電（diàn）子產品應用環境:儲存》，對（duì）於某些存（cún）放精密儀器儀表、元器件的倉庫環境條件（jiàn）的級（jí）別（bié）定為級別，其主要的（de）氣候環境條件為:溫度:20℃～25℃；相對濕度:20%～70%；氣壓（yā）:70kPa～106kPa。這三項儲（chǔ）存的氣候環境條件中，對元器件儲存可（kě）靠性影響較大（dà）的是溫度和相對濕（shī）度，氣壓影（yǐng）響的程（chéng）度相對較小。儲存環境除了氣候（hòu）環境（jìng）對元器件的有效儲存期有影響外（wài），GB4798.1中還規定了其（qí）他環（huán）境(如特殊氣候環境(輻射等)、生物（wù）環境(黴菌（jun1）、白蟻等)、化學活性物質(有（yǒu）害氣體（tǐ）等)、機械活性物質(砂、塵（chén）等（děng）))。
    此外，振動、衝擊等機械環境對元器件儲存可靠性和儲存期的長短也有很大影（yǐng）響。GJB/Z123《宇航（háng）用電（diàn）子元器件有效儲存期及超期（qī）複驗指南》中均規定了元（yuán）器件的（de）儲存環境條件:元器件必須儲存在清潔、通風、無腐蝕氣體並有溫度和相對濕度指示儀器的場所。
    對於某（mǒu）些特殊元器件的儲存應滿足以下特殊的要求：
    1、對靜（jìng）電（diàn）放電敏（mǐn）感的元器件(如MOS器（qì）件、微波器件等)，應采取靜電放電防護措施。
    2、對磁（cí）場敏感但本身無磁屏（píng）蔽的（de）元件，應存（cún）放在具（jù）有（yǒu）磁屏蔽作用的容器內。
    3、非密封片式元（yuán）器件應存（cún）放在充惰性氣體（tǐ）密（mì）封的（de）密封容器內，或存放在采取有效去濕措施(如加吸濕劑、防氧化劑等)的密封容器內（nèi）。
    4、微電機等機電元件的油封及單元包裝應保持完整。
    元器件儲存失效（xiào）機理
    影響元（yuán）器件儲存可靠（kào）性和（hé）儲存期（qī）長短（duǎn）的主要因素是元器（qì）件本身（shēn）包含的各種缺陷，凡（fán）係統中含有存在缺陷（xiàn）的元器件都不能滿足係統長期儲存的要求，無缺陷或缺陷少的元器件就能滿足係統十（shí）幾年甚（shèn）至是20年（nián）的長期儲存要求。美國桑迪亞國家實驗室(SNL)收集（jí）了美國國防部的部分（fèn）高（gāo）可靠微電子器件(如MOSLSI、雙極型SSI)在非工作狀（zhuàng）態下的大量儲存數據，儲存期為8年-10年，甚至20年以上。數據（jù）分析表明，非（fēi）工作狀態下元器件的儲存失效並非單純地呈指數分布規（guī）律，其失效在較大程度上（shàng）由設計、製造和生產過程的質量監控失誤造成的缺陷所引（yǐn）起。
    對長期庫房儲存（cún）試（shì）驗和延壽試驗的失效樣品分（fèn）析表（biǎo）明，失效的主要原因（yīn）是由於器件內部水汽影響，其次是芯片、引線（xiàn）脫落。元器件儲存失效（xiào）包括內部結構失效和與封裝、鍵合有關（guān）的外部（bù）結構失效，而外部結構失效在儲存失效（xiào）中占（zhàn）主要（yào）部分，包括封裝漏氣失效、引（yǐn）線焊接失效、外引線腐蝕斷裂等，是由於元器件在儲（chǔ）存溫度、濕度等環境應力的作用下潛在的外殼、封裝工藝缺陷而導致失效。