產品 · 詳（xiáng）情（qíng）product details
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設備用途Equipment use
HAST設備用於評估非氣密性封裝IC器件、金屬材料等在濕度環境下的可靠（kào）性。通過溫度、濕度、大氣壓力條件下應用於加速濕氣的滲透，可通過外部保護材料（塑封料或封口），或在外部保護（hù）材料與金屬傳導材料之間界麵。它采用了嚴（yán）格的溫度，濕度，大氣壓、電壓條件，該條（tiáo）件會加速水分（fèn）滲透到材料內部與金屬導體之間的電化（huà）學反應。失效（xiào）機（jī）製：電離腐（fǔ）蝕，封裝密封性。
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產品 · 特點Product features
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三種控製模式
不飽和控製(幹濕球溫度控製)、不飽和控製(升溫溫度控製)、濕潤飽和控製。
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多重保護（hù）功能
各（gè）種超壓超溫、幹燒漏電及誤操作（zuò）等多重人機保護；
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可帶電（diàn）測試（shì）
可定製BIAS偏壓端子組數，提供產品通電（diàn）測試；
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濕度自由選擇
飽和（hé）（100%R.H濕度）與非飽和（75%R.H濕度）自由設定；
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智能化高
支持電腦（nǎo）連接（jiē），
利用USB數據、
曲線導出保存
滿足測試標準
GB-T 2423.40-1997 電工電子產品環境（jìng）試驗 第（dì）2部分：試驗方法 試（shì）驗Cx：未飽和高壓蒸（zhēng）汽恒定濕（shī）熱
IEC 60068-2-66-1994 環（huán）境試（shì）驗 第2-66部分:試驗方法 試驗Cx:穩態濕熱(不飽合（hé）加壓蒸汽)
JESD22-A100 循環（huán）溫濕度偏置壽（shòu）命
JESD22-A101 THB加速式（shì）溫濕度及偏壓測試
JESD22-A102 加速水汽抵抗性-無偏置高壓蒸煮
JESD22-A108 溫度，偏置電壓，以及工作壽命（IC壽命試驗）
JESD22-A110 高加速溫濕度應力試驗（HAST）
JESD22-A118 加速水汽（qì）抵抗性--無偏壓HAST(無（wú）偏置電壓（yā）未飽和（hé）高壓蒸汽)等
舉例：
適（shì）用範圍: 該試驗檢查芯片（piàn）及其他產（chǎn）品材料長期貯存條件下，高溫和時間對器件的影響。本規範適用於量產芯片驗證測試階段的HAST測試需求，僅針對非密封封裝（塑料封（fēng）裝），帶（dài）偏置（bHAST）和不帶偏置（zhì）（uHAST）的（de）測試。
溫度、濕度、氣壓、測試時間
➢ 通常選（xuǎn）擇HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大氣（qì）壓，96hour測試時（shí）間。
➢ 測試過程中，建議調試階段監控芯片殼溫、功耗數據推算芯片結溫，要保證結（jié）溫不能過 高，並在（zài）測試過程中定期記錄（lù）。結溫推（tuī）算方法參考《HTOL測試技術（shù）規（guī）範》。
➢ 如果殼（ké）溫與環溫差值或者功耗滿足下表三（sān）種關係時，特別是當殼溫與環溫差（chà）值超（chāo）過（guò） 10℃時，需考慮周期性的電壓拉偏策略。
➢ 注（zhù）意測試起始時間是從環境條件達到規（guī）定條件（jiàn）後開始計算；結束時（shí）間為開始降溫降壓操 作的（de）時間點。
電壓拉偏
uHAST測試不（bú）帶電壓拉偏（piān）， 不需要關注該節；
bHAST需要帶電壓（yā）拉偏
，遵循以（yǐ）下原則：
（1） 所有電源上電，電壓：推（tuī）薦操作範圍電壓（Maximum Recommended Operating Conditions）
（2） 芯片、材（cái）料功耗（hào）小（數字部分不翻轉、輸入晶振短接、其他降功耗（hào）方（fāng）法）；
（3） 輸入管腳在輸入電壓允許範圍內（nèi）拉高。
（4） 其他管腳，如時鍾端、複位端、輸出管腳在輸出範圍內隨機拉高（gāo）或者拉低；
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