一、試驗（yàn）目的

電子元器件的失效很多是由於環境溫度造成體內和表麵的各種物理、化學變化所引起的。溫度（dù）升高後，使得化學反應速率大大加快，其失效過程也得到加速，使（shǐ）有缺陷的元器件能及（jí）時暴露。 

通過高低溫試驗箱模擬環境溫度變化提（tí）高元器（qì）件環境溫度適應能力，加（jiā）速元器件中可（kě）能發生或存在的（de）任（rèn）何化學反應過程（如由水汽（qì）或其他離子（zǐ）所引起的腐蝕作用，表麵漏電、沾汙以及金-鋁（lǚ）之間金屬化合物的生成等），使具有潛在缺陷的元器件提前失效而剔除。 

高溫貯存試驗對於表麵沾汙、引線（xiàn）鍵（jiàn）合不良和氧化層（céng）缺（quē）陷等都（dōu）有很好的篩選作用。 

二、試驗原理

高溫貯存是在試驗箱內（nèi）模擬高溫條件，對元器件施加高溫應力（不加電應力（lì）），使得元器件體內（nèi）和表麵的各（gè）種物理、化學變化的化學反應速率大大加快，其失效過程也得到加速，使有缺陷的元器件能盡早暴（bào）露。 

高溫貯存篩選的特點：

① 的優點是操（cāo）作簡便易行，可（kě）以大（dà）批量進行，投資少，其篩（shāi）選效果也不差，因而是目前比較普遍采用的篩選（xuǎn）試驗項目。

② 通過高溫貯存還（hái）可以使元器件（jiàn）的性能參數穩定下來，減少使用中的參數漂移，故在GJB548中也把高溫貯存試驗稱為穩定性烘焙試驗。

③ 對於工藝和設計水平較高的成熟器件，由於器件本身已（yǐ）很穩定，所以（yǐ）做高溫存（cún）貯篩選效果很差，篩選率幾乎為零。

三、試驗設備

高低溫（wēn）試驗箱，適用（yòng）產品零部件及材料在高（gāo）溫、低溫（交變）循環變化的情況下，檢驗（yàn）其可靠性各項（xiàng）性能指標的儀器設備。高溫時可測試產品零件、材料可能發生軟化、效能降低（dī）、特性改變、潛在破壞、氧化等現象。 

四、暴露的缺陷

元器件的電穩定性、金屬化、矽腐蝕和引線鍵（jiàn）合缺陷等（děng）。 

五、注意事項 

1.溫（wēn）度-時間應力的確定。 

在不損害（hài）半（bàn）導體器件的情況下篩選溫度越高越好，因此應盡可能提高貯存溫度。貯（zhù）存溫度需根據管殼結構（gòu）、材料性質、組裝和密封工藝而定（dìng），同時還應特（tè）別注意溫度和（hé）時間的合理確定。 

有一種誤解認為溫度越高、時（shí）間越長篩選考驗就越嚴格，這（zhè）是錯誤的。例如：如果貯存溫度過高（gāo）、時間過長則使器件加速退化以及對器（qì）件的封裝有破壞性，還有可能造成引線鍍層微裂及（jí）引線氧化，使得可焊接性變差。 

確定溫度（dù）、時間對應關係的原則是：保持（chí）對元器件（jiàn）施加的應力強（qiáng）度不能變，即如果提高了貯存溫度，則應（yīng）減少（shǎo）貯存時間。 

對於半導體器（qì）件來說，貯存溫度除了受到金屬與半導體材料共熔點溫（wēn）度的限（xiàn）製以外，還受到器（qì）件封裝所用的（de）鍵合絲材料、外（wài）殼漆層及標誌耐熱溫度和引線氧化（huà）溫度的限製。因此，金-鋁鍵合的（de）器件貯存溫度可選用150 ℃，鋁-鋁鍵（jiàn）合可選用200 ℃，金-金鍵合器件可選用300 ℃。對電容器來說，貯存溫度除了受到介質（zhì）耐熱溫度限製外，還受（shòu）到外殼（ké）漆層（céng）和標誌耐熱溫度以及引線氧化溫（wēn）度的限製，某（mǒu）些電容器還受到外殼浸漬材料的限製，因此，電（diàn）容器的貯存（cún）溫度（dù）一般都取它（tā）的正極限溫度。

2.高溫貯存多（duō）數在封裝後進行（háng），半導體器件也有在封裝前的圓片階段（duàn）或鍵合後進行，或（huò）封裝（zhuāng）前（qián）後都進（jìn）行。 

3.高（gāo）溫貯存試驗結束（shù）後，如須對元器件進行測試對比，國軍標中規定必須在96 小時內測試完畢。