適用範圍:  

該試驗檢查（chá）芯片長期貯存條件（jiàn）下，高溫和時間對器件的影響（xiǎng）。本規範適用（yòng）於量產芯片驗證測試階段（duàn）的HAST測試需求（qiú），僅針對非（fēi）密封封裝(塑料封裝)，帶偏置(bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測試。

簡介（jiè）：

該試驗（yàn）通過溫度、濕度、大氣壓力加速條件，評估非密封封（fēng）裝器件在上電狀態下，在高溫、高壓、潮濕環境中的可（kě）靠性。它采（cǎi）用了嚴格的溫度，濕度，大氣壓（yā）、電壓條件，該條件會加速水分滲透到材料內部與金屬導體之間的電化學反應。

引用文件：

下列文（wén）件中的條（tiáo）款通過本（běn）規範的引（yǐn）用而成為本（běn）規範的條款。凡是注日期的引用文件，其隨後（hòu）所有的修改單（不包括勘誤（wù）的內容（róng））或修訂版均不適用於本規（guī）範，然而，鼓勵根據本規範達成協議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是（shì）不注日期的引用文件，其（qí）新版本適用於本規範。

1.  HAST測試流程

2.  HAST測試條件
2.1 溫（wēn）度、濕度、氣壓（yā）、測試時間  HAST試驗條件如下表所示：
➢ 通常選擇HAST高壓加速老化試驗箱RK-HAST-350，即（jí）：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測試時間。
➢ 測試（shì）過程中，建議調試階段監（jiān）控芯（xīn）片殼溫、功耗數據推算芯片（piàn）結（jié）溫，要保證結溫不能（néng）過 高，並在（zài）測試過程中定期（qī）記錄。結溫（wēn）推算（suàn）方法（fǎ）參考《HTOL測試（shì）技術規範》。
➢ 如果殼溫與環溫差值或者功（gōng）耗滿足下表三種關係時，特（tè）別是當殼溫與環溫差值超過 10℃時，需考（kǎo）慮周期性的電壓拉偏策略。
➢ 注（zhù）意測試起始時間是從環境條件達到規定條件後開始計算；結束時間為開始降溫降壓操 作的時間點。
2.2 電壓拉偏
uHAST測試（shì）不帶電壓（yā）拉偏，不需要關注該節（jiē）；
bHAST需要帶電壓拉偏，遵循以下原則：
(1) 所有電源上電，電壓：推薦操作範圍電壓(Maximum Recommended Operating Conditions）
(2) 芯（xīn）片功耗（hào）小(數字部分不翻轉、輸入晶（jīng）振短接（jiē）、其他降功耗（hào）方法)；
(3) 輸入管（guǎn）腳在（zài）輸入電壓允許範圍內拉高。
(4) 其他管腳，如時鍾端、複位端、輸出管腳在輸出範圍內隨機拉高或者（zhě）拉低；
2.3 樣本量
3.  HAST設備
➢ 高（gāo）溫、高壓、濕度控製試驗箱（HAST高壓加速老化試驗箱）——溫度（dù）、濕度、氣壓強度範圍可控，測試時間可控。
4.  失效判據
➢ ATE\功能篩片有功能失效、性（xìng）能異（yì）常。
5.  HAST測試注意事項
➢ 測試過程要求（qiú）每（měi）天記錄電源電壓、電流、環境溫度、殼溫(推算結溫)等（děng）關鍵數據。
➢ 注意芯片內部模擬電路是否有上電默認開啟的（de）模塊，這樣的模塊會導致靜態電流太大，引起其他機製的失效。
➢ 調（diào）試過程注意，考慮到較大的電流引起壓（yā）降，電壓等的記錄應該是到板電壓，而不是電源源端（duān）電壓。
➢ 調試過程注意，室溫條（tiáo）件下的電源電壓與規定要求下的（de）電源電壓不同，可以（yǐ）在室溫下初調，待試驗環境到達HAST設定條件後做終調（diào）試（shì）。