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高溫(wēn)高壓蒸煮(zhǔ)儀

高(gāo)溫高壓蒸煮(zhǔ)儀

內箱容積(jī)mm(圓桶):¢300×D450、¢400×D550溫(wēn)度範圍:+110~+132℃、+110℃~+147℃壓力範圍:壓力表+0.2~2.0kg/cm²、壓力表+0.2~3.5kg/cm²濕度範圍:100%R.H(飽(bǎo)和蒸汽)適用範圍:一般適(shì)用於電(diàn)子元器件、半導體器件、太陽能組件(jiàn)、高分子材料、磁材、金屬材料等。
PCT高壓蒸煮試(shì)驗機

PCT高壓蒸煮(zhǔ)試驗機

內箱容積mm(圓桶):¢300×D450、¢400×D550溫(wēn)度範(fàn)圍:+110~+132℃、+110℃~+147℃壓力範圍:壓力表+0.2~2.0kg/cm²、壓力表+0.2~3.5kg/cm²濕度範圍(wéi):100%R.H(飽和蒸汽)適用範圍:一(yī)般(bān)適用於電子元器件、半導體器件、太陽(yáng)能組件、高分子材料、磁材、金屬材料等。
功率<i style='color:red'>半(bàn)導體器件</i>利用高低(dī)溫濕熱試驗(yàn)箱做(zuò)穩態濕熱高壓偏置試驗

功率半導體器件(jiàn)利用高低溫(wēn)濕熱試驗箱(xiāng)做穩(wěn)態濕熱高壓偏置試驗

功率半(bàn)導體器件(jiàn)穩態濕熱(rè)高壓偏置試驗方法,用以評價非氣密(mì)封裝的功率半導體器件(jiàn)在(zài)高溫(wēn)高(gāo)濕環境下耐受高電壓的可靠性。不但適用於矽功率器件,也適用於碳化(huà)矽及氮化家功率器件。
塑封<i style='color:red'>半導體器件</i>THB試驗

塑封半導體器件THB試驗

THB試驗是考核塑(sù)封器(qì)件耐濕性常(cháng)用的加速試驗方法,一般在高溫高濕試驗箱中進行。通過提高環境溫度及相對(duì)濕度,使試驗(yàn)環境的水汽分(fèn)壓增加,加大(dà)了試驗環境與塑封半導體器件樣(yàng)品內部的水蒸氣壓力差,進而加劇水汽擴散和吸收:同時施加偏置電壓為加速金屬侵(qīn)蝕提供了必要(yào)的電解電池。加速金(jīn)屬侵蝕(shí)的原因還有:塑封器(qì)件所用不同材料的熱失配(pèi)使封(fēng)裝體(tǐ)內產生(shēng)縫隙加速水汽的(de)侵入(rù);封裝材料中的雜質汙染等。
芯片(IC)可靠性測(cè)試好幫手——草莓视频网站儀器HAST試驗箱係列

芯片(IC)可靠性測試好(hǎo)幫手——草莓视频网站儀器HAST試驗(yàn)箱係(xì)列

芯片(piàn)是電(diàn)子信息產品重要的元器件,是高端(duān)製造業的是核心基石!幾乎每種電子設備,電腦、手機、家電、汽車、高鐵、電網、醫療儀器、機器人、工業控製等都使用芯片。草莓视频网站HAST試驗箱主要應用於芯片、半導(dǎo)體(tǐ)器件、金屬材料領域,通過爆米花效應、動金屬化(huà)區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間(jiān)因汙染造成之短路等相關問題。
草莓视频网站儀器:聚焦“<i style='color:red'>半導體(tǐ)器件</i>HAST試驗箱”主業,發揮自身技(jì)術優勢

草莓视频网站儀器:聚焦“半導體器件HAST試驗箱”主業,發揮自身技術優勢

草莓视频网站儀器掌握HAST試驗箱、高低溫試驗箱、冷熱衝擊試(shì)驗箱的核心技術,將繼續緊跟市場發展步伐,加強對自動化、智能化裝備的研發(fā),著力提升核心競爭力,助推企業做大(dà)做強(qiáng)。
<i style='color:red'>半(bàn)導體器件</i>(HAST)強加速穩態濕(shī)熱試驗(yàn)方法

半導體器件(HAST)強加速穩態濕(shī)熱(rè)試驗方(fāng)法

草莓视频网站儀器HAST設備用於評估非氣密性封裝(zhuāng)IC器件(jiàn)、金屬材料等在濕度環境下的可靠性。通過溫度、濕度、大氣壓力條件下應用於加速濕氣的滲透,可通過外部保護材料(塑封料或封口),或在外部保護材料與金屬傳導材料之間界麵。它(tā)采(cǎi)用了(le)嚴格的溫度,濕度,大氣壓、電壓條件(jiàn),該條件會加速水分滲透到材料(liào)內部與(yǔ)金屬(shǔ)導體(tǐ)之間的電化(huà)學反應。失效機製:電離腐蝕,封裝密封性。
技術分析:溫度循環測試對芯片燒結性(xìng)能的影響(xiǎng)

技術分析:溫度循環(huán)測試對(duì)芯片燒結性能的影響

半導體器件在貯存、運輸和使用過程中時刻要遇到溫度環境,溫度環境應(yīng)力(lì)對(duì)元(yuán)器件性能的影響(xiǎng)時刻(kè)存在。例如,高溫時導致半導體(tǐ)器件發生軟化(huà)、效能降低、特(tè)性改變、潛在破壞、氧化、熔(róng)化及升(shēng)華(huá)、物理膨脹等現象;低溫使(shǐ)材料發生龜裂、脆化(huà)、可動部卡死、特性(xìng)改變等現象;溫度衝擊造成反複熱脹冷縮,產生機械應(yīng)力等。
半導體高溫儲存試驗測試標準

半導體(tǐ)高溫儲存試驗測(cè)試(shì)標準

國際(jì)標準分類中,半導體高溫儲存試驗(yàn)涉及到半導體分立器件。在中國標準分類中,半導體高溫儲存試驗涉及到半導體分立器件(jiàn)綜合、電力(lì)半導(dǎo)體(tǐ)器件、部件。國際電工委員會,關於半導(dǎo)體高溫儲存試驗的標(biāo)準

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