thb試驗是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗方法，一般在高溫（wēn）高濕試驗箱中進行。通過提高環境溫（wēn）度及相（xiàng）對（duì）濕度（dù），使試驗環（huán）境（jìng）的水汽分壓增加，加（jiā）大了試驗環境與塑封半導體器件樣品內部（bù）的（de）水蒸氣壓力差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施（shī）加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金（jīn）屬侵蝕的原因還有:塑封器（qì）件所用不同材料的熱失配使封裝體內產生縫隙加（jiā）速水汽的侵入；封裝材料中的雜質汙染等。

HAST是專為（wéi）塑封固態器件而設計的，因為事實證明，高（gāo）壓蒸煮和（hé）thb試驗（yàn）對於某些健壯的塑封微電路已經不能產生失效。 這（zhè）一（yī）試驗用高溫(通常為130℃)、高相對濕度(約85%)、高大（dà）氣壓力（lì）的條件（達3atm）來加速潮氣通過外部保護材料或芯片引線周圍的密封封裝。